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美光3D NAND采用替代栅极架构:明年将量产

来源:网络整理 作者:采集侠 人气: 发布时间:2019-10-09
摘要:存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇,近日,根据最新消息显示,美系存储巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全

[摘要]存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇,近日,根据最新消息显示,美系存储巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,将于明年开始小范围量产。

  存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇,近日,根据最新消息显示,美系存储巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,将于明年开始小范围量产。

美光3D NAND采用替代栅极架构:明年将量产

  根据知情人士透露,美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中,继续沿用CMOS阵列,新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小。

  美光集团CEO对此表示,目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片,这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险,并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上,先期会被应用到特定的产品线。

责任编辑:采集侠